Прикладная механика и техническая физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Прикл. мех. техн. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Прикладная механика и техническая физика, 1966, том 7, выпуск 2, страницы 119–121 (Mi pmtf8528)  

Об устойчивости неоднородного электронного пучка

И. А. Жвания, Р. Я. Кучеров, Л. Э. Рикенглаз

г. Сухуми
Поступила в редакцию: 25.02.1965
Англоязычная версия:
Journal of Applied Mechanics and Technical Physics, 1966, Volume 7, Issue 2, Pages 80–81
DOI: https://doi.org/10.1007/BF00916985
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Жвания, Р. Я. Кучеров, Л. Э. Рикенглаз, “Об устойчивости неоднородного электронного пучка”, Прикл. мех. техн. физ., 7:2 (1966), 119–121; J. Appl. Mech. Tech. Phys., 7:2 (1966), 80–81
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhvKucRik66}
\by И.~А.~Жвания, Р.~Я.~Кучеров, Л.~Э.~Рикенглаз
\paper Об устойчивости неоднородного электронного пучка
\jour Прикл. мех. техн. физ.
\yr 1966
\vol 7
\issue 2
\pages 119--121
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pmtf8528}
\transl
\jour J. Appl. Mech. Tech. Phys.
\yr 1966
\vol 7
\issue 2
\pages 80--81
\crossref{https://doi.org/10.1007/BF00916985}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pmtf8528
  • https://www.mathnet.ru/rus/pmtf/v7/i2/p119
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Прикладная механика и техническая физика Прикладная механика и техническая физика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:4
    PDF полного текста:3
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024