Прикладная механика и техническая физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Прикл. мех. техн. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Прикладная механика и техническая физика, 1970, том 11, выпуск 4, страницы 137–139 (Mi pmtf7881)  
Влияние поверхностной и объемной ионизации на приэлектродные падения потенциала

Г. В. Бабкин, А. В. Потапов

г. Москва
PDF полного текста (616 kB)
Поступила в редакцию: 20.01.1970
Англоязычная версия:
Journal of Applied Mechanics and Technical Physics, 1970, Volume 11, Issue 4, Pages 646–648
DOI: https://doi.org/10.1007/BF00850853
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. В. Бабкин, А. В. Потапов, “Влияние поверхностной и объемной ионизации на приэлектродные падения потенциала”, Прикл. мех. техн. физ., 11:4 (1970), 137–139; J. Appl. Mech. Tech. Phys., 11:4 (1970), 646–648
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabPot70}
\by Г.~В.~Бабкин, А.~В.~Потапов
\paper Влияние поверхностной и объемной ионизации на приэлектродные падения потенциала
\jour Прикл. мех. техн. физ.
\yr 1970
\vol 11
\issue 4
\pages 137--139
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pmtf7881}
\transl
\jour J. Appl. Mech. Tech. Phys.
\yr 1970
\vol 11
\issue 4
\pages 646--648
\crossref{https://doi.org/10.1007/BF00850853}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pmtf7881
  • https://www.mathnet.ru/rus/pmtf/v11/i4/p137
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Прикладная механика и техническая физика Прикладная механика и техническая физика
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024