|
Прикладная механика и техническая физика, 1999, том 40, выпуск 5, страницы 3–10
(Mi pmtf3132)
|
|
|
|
Об образовании ударных волн в течении носителей зарядов в полупроводниках
Д. А. Крымских Сибирская государственная геодезическая академия, 630108 Новосибирск
Аннотация:
Проведено численное исследование одной гидродинамической модели физики полупроводников. Показано, что решение задачи о $(n^+-n-n^+)$-баллистическом диоде имеет ударную волну. Для решения этой задачи применяется метод установления. Для нахождения численного решения получена консервативная полунеявная экономичная разностная схема.
Поступила в редакцию: 20.02.1998 Принята в печать: 30.03.1998
Образец цитирования:
Д. А. Крымских, “Об образовании ударных волн в течении носителей зарядов в полупроводниках”, Прикл. мех. техн. физ., 40:5 (1999), 3–10; J. Appl. Mech. Tech. Phys., 40:5 (1999), 777–783
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pmtf3132 https://www.mathnet.ru/rus/pmtf/v40/i5/p3
|
|