Прикладная механика и техническая физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Прикл. мех. техн. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Прикладная механика и техническая физика, 2021, том 62, выпуск 5, страницы 80–88
DOI: https://doi.org/10.15372/PMTF20210508
(Mi pmtf111)
 

Управление свойствами сегнетоэлектрической пленки Ba$_x$Sr$_{1-x}$TiO$_3$

В. Б. Широковab, П. Е. Тимошенкоb, В. В. Калинчукa

a Южный научный центр РАН, 344006 Ростов-на-Дону, Россия
b Южный федеральный университет, 344006 Ростов-на-Дону, Россия
Список литературы:
Аннотация: Предложен один из способов управления свойствами тонких сегнетоэлектрических пленок, находящихся в условиях вынужденной деформации, обусловленной несоответствием размеров кристаллических решеток материалов пленки и подложки, а также различием коэффициентов их теплового расширения. Управление осуществляется за счет дополнительной механической деформации подложки. В рамках феноменологической теории с использованием потенциала Ландау исследована модель монокристаллической пленки Ba$_{x}$Sr$_{1 -x}$TiO$_{3}$. Показано, что при дополнительной одноосной деформации подложки в пленке Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$ материальные постоянные пленки изменяются. Аномальное изменение происходит при значениях деформации, близких к значениям, при которых происходит изменение фазового состояния пленки. Исследован процесс генерации поверхностных акустических волн. Результаты моделирования свидетельствуют о возможности управления возбуждением поверхностных акустических волн в гетероструктуре пленка – кремниевая подложка.
Ключевые слова: сегнетоэлектрическая пленка, феноменологическая модель, термоупругая деформация, начальная деформация, начальные напряжения, поверхностные акустические волны, коэффициент электромеханической связи.
Финансовая поддержка Номер гранта
Южный научный центр РАН 01201354242
Российский фонд фундаментальных исследований 19-01-00719
Работа выполнена в рамках государственного задания Южного научного центра РАН (код проекта 01201354242) и при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (код проекта 19-01-00719).
Поступила в редакцию: 14.07.2021
Исправленный вариант: 26.07.2021
Принята в печать: 26.07.2021
Англоязычная версия:
Journal of Applied Mechanics and Technical Physics, 2021, Volume 62, Issue 5, Pages 771–778
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021894421050084
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 539.3+538.95
Образец цитирования: В. Б. Широков, П. Е. Тимошенко, В. В. Калинчук, “Управление свойствами сегнетоэлектрической пленки Ba$_x$Sr$_{1-x}$TiO$_3$”, Прикл. мех. техн. физ., 62:5 (2021), 80–88; J. Appl. Mech. Tech. Phys., 62:5 (2021), 771–778
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShiTimKal21}
\by В.~Б.~Широков, П.~Е.~Тимошенко, В.~В.~Калинчук
\paper Управление свойствами сегнетоэлектрической пленки Ba$_x$Sr$_{1-x}$TiO$_3$
\jour Прикл. мех. техн. физ.
\yr 2021
\vol 62
\issue 5
\pages 80--88
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pmtf111}
\crossref{https://doi.org/10.15372/PMTF20210508}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46709901}
\transl
\jour J. Appl. Mech. Tech. Phys.
\yr 2021
\vol 62
\issue 5
\pages 771--778
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021894421050084}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pmtf111
  • https://www.mathnet.ru/rus/pmtf/v62/i5/p80
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Прикладная механика и техническая физика Прикладная механика и техническая физика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    Список литературы:19
    Первая страница:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024