Прикладная механика и техническая физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Прикл. мех. техн. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Прикладная механика и техническая физика, 2014, том 55, выпуск 4, страницы 141–151 (Mi pmtf1052)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Исследование полных $a$-дислокаций в чистом магнии на основе первичных принципов

Т. Фанa, Л. Луоa, Л. Маb, Б. Тангab, Л. Пенгc, В. Дингc

a Университет Сянтаня, 411105 Сянтань, Китай
b Школа химии и химического машиностроения Университета Гюангкси, 530004 Наньнин, Китай
c Национальный технический исследовательский центр создания легких сплавов Шанхайского университета Джиатонг, 200030 Шанхай, Китай
Аннотация: С использованием модели Пайерлса–Набарро и результатов расчетов на основе первичных принципов обобщенных энергий дефектов укладки в чистом магнии исследованы полные $a$-дислокации на базальной плоскости кристаллической решетки $(0001)$, призматической плоскости $(10\bar10)$ и пирамидальных плоскостях $(10\bar11)$ и $(10\bar12)$. Показано, что системы скольжения $(10\bar11)\langle11\bar20\rangle$ и $(10\bar12)\langle11\bar20\rangle$ имеют практически одинаковые энергетические барьеры обобщенной энергии дефектов укладки, которые, очевидно, больше энергетических барьеров обобщенной энергии дефектов укладки систем скольжения $(0001)\langle11\bar20\rangle$ и $(10\bar10)\langle11\bar20\rangle$. Установлено, что и для краевых, и для винтовых полных дислокаций максимумы плотности дислокаций, энергии Пайерлса и напряжения дислокаций в плоскостях $(10\bar10)$, $(0001)$, $(10\bar11)$, $(10\bar12)$ увеличиваются. При этом энергия Пайерлса и напряжения полных винтовых дислокаций всегда меньше, чем в случае полных краевых дислокаций во всех системах скольжения. Дислокации на пирамидальных плоскостях $(10\bar11)$ и $(10\bar12)$ обладают меньшими энергиями ядра дислокации, в то время как у призматической плоскости $(10\bar10)$ они наибольшие. Это означает, что формирование полных дислокаций на плоскости $(10\bar10)$ затруднено.
Ключевые слова: магний, дислокация, модель Пайерлса–Набарро, обобщенная энергия дефектов укладки, напряжение Пайерлса.
Поступила в редакцию: 19.11.2012
Англоязычная версия:
Journal of Applied Mechanics and Technical Physics, 2014, Volume 55, Issue 4, Pages 672–681
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021894414040130
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 548.4
Образец цитирования: Т. Фан, Л. Луо, Л. Ма, Б. Танг, Л. Пенг, В. Динг, “Исследование полных $a$-дислокаций в чистом магнии на основе первичных принципов”, Прикл. мех. техн. физ., 55:4 (2014), 141–151; J. Appl. Mech. Tech. Phys., 55:4 (2014), 672–681
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FanLuoMa14}
\by Т.~Фан, Л.~Луо, Л.~Ма, Б.~Танг, Л.~Пенг, В.~Динг
\paper Исследование полных $a$-дислокаций в чистом магнии на основе первичных принципов
\jour Прикл. мех. техн. физ.
\yr 2014
\vol 55
\issue 4
\pages 141--151
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pmtf1052}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21946375}
\transl
\jour J. Appl. Mech. Tech. Phys.
\yr 2014
\vol 55
\issue 4
\pages 672--681
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021894414040130}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pmtf1052
  • https://www.mathnet.ru/rus/pmtf/v55/i4/p141
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Прикладная механика и техническая физика Прикладная механика и техническая физика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024