Прикладная механика и техническая физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Прикл. мех. техн. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Прикладная механика и техническая физика, 2015, том 56, выпуск 1, страницы 180–189
DOI: https://doi.org/10.15372/PMTF20150122
(Mi pmtf1000)
 

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Лазерная керамика с разупорядоченной кристаллической структурой

С. Н. Багаевa, В. В. Осиповb, Е. В. Пестряковa, В. И. Соломоновbc, В. А. Шитовb, Р. Н. Максимовbc, А. Н. Орловb, В. В. Петровa

a Институт лазерной физики СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт электрофизики УрО РАН, 620016 Екатеринбург, Россия
c Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
Аннотация: Синтезированы новые керамические среды на основе оксида иттрия $\mathrm{Y}_2\mathrm{O}_3$ с изовалентными ($\mathrm{Yb}_2\mathrm{O}_3$, $\mathrm{Nd}_2\mathrm{O}_3$, $\mathrm{Lu}_2\mathrm{O}_3$) и гетеровалентными ($\mathrm{ZrO}_2$, $\mathrm{HfO}_2$) компонентами и исследованы их спектроскопические свойства. Изучены возможные каналы потерь усиления стимулированного излучения на излучательных переходах ионов $\mathrm{Nd}^{3+}$ и $\mathrm{Yb}^{3+}$ в керамиках с гетеровалентными добавками. Приведены результаты измерений в $\mathrm{Y}_2\mathrm{O}_3$-керамике, допированной оксидами циркония и гафния, ширины полос излучений и времени жизни уровней ${}^4\mathrm{F}_{3/2}$ и ${}^2\mathrm{F}_{5/2}$ ионов $\mathrm{Nd}^{3+}$ и $\mathrm{Yb}^{3+}$ соответственно. Показано, что безызлучательное расселение уровня ${}^4\mathrm{F}_{3/2}$ иона неодима происходит в результате диполь-дипольного взаимодействия с ионами $\mathrm{Zr}^{3+}$ и $\mathrm{Hf}^{3+}$. На керамике [($\mathrm{Yb}_{0,01}\mathrm{Lu}_{0,24}\mathrm{Y}_{0,75})_2\mathrm{O}_3]_{0,88}(\mathrm{ZrO}_2)_{0,12}$ с разупорядоченной кристаллической структурой осуществлена генерация лазерного излучения на длине волны $1034$ нм с дифференциальной эффективностью $29\%$.
Ключевые слова: лазерная керамика, оксид иттрия, оксид циркония, оксид гафния, ионы неодима, ионы иттербия.
Поступила в редакцию: 16.10.2014
Англоязычная версия:
Journal of Applied Mechanics and Technical Physics, 2015, Volume 56, Issue 1, Pages 150–157
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021894415010228
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 546.643, 548.313
Образец цитирования: С. Н. Багаев, В. В. Осипов, Е. В. Пестряков, В. И. Соломонов, В. А. Шитов, Р. Н. Максимов, А. Н. Орлов, В. В. Петров, “Лазерная керамика с разупорядоченной кристаллической структурой”, Прикл. мех. техн. физ., 56:1 (2015), 180–189; J. Appl. Mech. Tech. Phys., 56:1 (2015), 150–157
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BagOsiPes15}
\by С.~Н.~Багаев, В.~В.~Осипов, Е.~В.~Пестряков, В.~И.~Соломонов, В.~А.~Шитов, Р.~Н.~Максимов, А.~Н.~Орлов, В.~В.~Петров
\paper Лазерная керамика с разупорядоченной кристаллической структурой
\jour Прикл. мех. техн. физ.
\yr 2015
\vol 56
\issue 1
\pages 180--189
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pmtf1000}
\crossref{https://doi.org/10.15372/PMTF20150122}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=23136861}
\transl
\jour J. Appl. Mech. Tech. Phys.
\yr 2015
\vol 56
\issue 1
\pages 150--157
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021894415010228}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pmtf1000
  • https://www.mathnet.ru/rus/pmtf/v56/i1/p180
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Прикладная механика и техническая физика Прикладная механика и техническая физика
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024