Современные и перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники следующего десятилетия (2020-2030 гг.)

В обзоре рассмотрены современные и перспективные полупроводниковые материалы (кремний ($Si$), карбид кремния ($SiC$), нитрид галлия ($GaN$), алмаз, оксид галлия ($Ga_2O_3$ ), нитрид алюминия ($AlN$), нитрид бора ($BN$)) с точки зрения их использования при импортозамещении существующих и создании новых изделий микроэлектроники. Дана оценка перспективности использования наиболее актуальных полупроводниковых материалов в ближайшее десятилетие.