Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1985, том 11, выпуск 18, страницы 1114–1118 (Mi pjtf995)  
Эффект малых доз и деградационная стойкость $In_x\,Ga_{1-x}\,As:Si$ светоизлучающих диодов

Т. В. Торчинская, Г. Н. Семёнова, Т. Г. Бердинских

Институт полупроводников АН УССР, Киев
PDF полного текста (1497 kB)
Поступила в редакцию: 25.06.1985
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. В. Торчинская, Г. Н. Семёнова, Т. Г. Бердинских, “Эффект малых доз и деградационная стойкость $In_x\,Ga_{1-x}\,As:Si$ светоизлучающих диодов”, Письма в ЖТФ, 11:18 (1985), 1114–1118
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TorSemBer85}
\by Т.~В.~Торчинская, Г.~Н.~Семёнова, Т.~Г.~Бердинских
\paper Эффект малых доз и~деградационная стойкость $In_x\,Ga_{1-x}\,As:Si$ светоизлучающих диодов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1985
\vol 11
\issue 18
\pages 1114--1118
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf995}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf995
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v11/i18/p1114
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024