|
Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры InSb/GaInSb/InSb в нитевидных нанокристаллах
Е. Д. Лещенкоa, В. Г. Дубровскийb a НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Проведено теоретическое исследование процесса формирования двойной осевой гетероструктуры InSb/GaInSb/InSb в автокаталитических и Au-каталитических нитевидных нанокристаллах и рассчитаны профили состава в данной гетероструктуре. Изучено влияние на профиль состава различных параметров, в том числе температуры, концентрации сурьмы и внешнего катализатора (Au).
Ключевые слова:
нитевидные нанокристаллы III–V, осевая гетероструктура, гетерограница, моделирование.
Поступила в редакцию: 12.08.2022 Исправленный вариант: 12.08.2022 Принята в печать: 17.08.2022
Образец цитирования:
Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры InSb/GaInSb/InSb в нитевидных нанокристаллах”, Письма в ЖТФ, 48:19 (2022), 20–23
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7410 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v48/i19/p20
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 8 | PDF полного текста: | 2 |
|