|
Письма в Журнал технической физики, 1985, том 11, выпуск 1, страницы 49–52
(Mi pjtf741)
|
|
|
|
Эффект переключения проводимости с памятью в структуре $Al-Gd_2\,O_3-Si$
В. А. Рожков, А. И. Петров Куйбышевский государственный университет
Поступила в редакцию: 03.07.1984
Образец цитирования:
В. А. Рожков, А. И. Петров, “Эффект переключения проводимости с памятью в структуре $Al-Gd_2\,O_3-Si$”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 49–52
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf741 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v11/i1/p49
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 15 |
|