|
Письма в Журнал технической физики, 1985, том 11, выпуск 1, страницы 41–46
(Mi pjtf739)
|
|
|
|
Эффект аккумуляции дефектов на поверхности полупроводника вследствие их дрейфа в поле приповерхностного изгиба зон
А. П. Ахоян, Н. Е. Корсунская, И. В. Маркевич Институт полупроводников АН УССР, Киев
Поступила в редакцию: 12.07.1984
Образец цитирования:
А. П. Ахоян, Н. Е. Корсунская, И. В. Маркевич, “Эффект аккумуляции дефектов на поверхности полупроводника вследствие их дрейфа в поле приповерхностного изгиба зон”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 41–46
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf739 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v11/i1/p41
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 14 |
|