Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2024, том 50, выпуск 2, страницы 6–9
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.02.56975.19715
(Mi pjtf6585)
 

Влияние поверхностной энергии на рост и состав InxGa1xAs нитевидных нанокристаллов

Е. Д. Лещенкоa, В. Г. Дубровскийb

a НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Проведено теоретическое исследование формирования автокаталитических и Au-каталитических нитевидных нанокристаллов InxGa1xAs при лимитированном нуклеацией росте. Модель позволяет проводить расчеты состава нитевидного нанокристалла в зависимости от состава капли в случаях нуклеации на тройной линии (на границе раздела пар–жидкость–кристалл) и в центре (на границе раздела жидкость–кристалл). Изучено влияние поверхностной энергии на состав нитевидных нанокристаллов при различных параметрах роста, в том числе температуре, концентрации Au и концентрации элементов V группы. Показано, что при автокаталитическом росте приближение независимости поверхностной энергии зародыша от его состава дает те же результаты, что и точные расчеты для обоих типов нуклеации.
Ключевые слова: моделирование, нитевидные нанокристаллы, химический состав, InxGa1xAs, поверхностная энергия, критический зародыш.
Финансовая поддержка Номер гранта
Санкт-Петербургский государственный университет 94033852
В.Г. Дубровский благодарит исследовательский грант СПбГУ (ID 94033852) за финансовую поддержку аналитических исследований.
Поступила в редакцию: 30.08.2023
Исправленный вариант: 27.09.2023
Принята в печать: 16.10.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Влияние поверхностной энергии на рост и состав InxGa1xAs нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 50:2 (2024), 6–9
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LesDub24}
\by Е.~Д.~Лещенко, В.~Г.~Дубровский
\paper Влияние поверхностной энергии на рост и состав In$_x$Ga$_{1-x}$As нитевидных нанокристаллов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2024
\vol 50
\issue 2
\pages 6--9
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6585}
\crossref{https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.02.56975.19715}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=60019997}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6585
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v50/i2/p6
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:17
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025