Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 8, страницы 7–10
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.08.50844.18583 (Mi pjtf6557) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронный транспорт в модельных квазидвумерных ван-дер-ваальсовых наноустройствах

Д. М. Сергеевab, А. Г. Дуйсеноваa

a Актюбинский региональный государственный университет имени К. Жубанова, Актобе, Казахстан
b Военный институт Сил воздушной обороны им. Т.Я. Бегельдинова, Актобе, Казахстан
PDF полного текста (1227 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.08.50844.18583
Аннотация: В рамках теории функционала плотности в приближении локальной плотности и метода неравновесных гриновских функций исследован электронный транспорт в модельном наноустройстве, состоящем из комбинации связанных между собой ван-дер-ваальсовой связью графена, силицена и дисульфида молибдена. Рассчитаны вольт-амперные, $dI/dV$-характеристики и спектры пропускания наноустройств. Выявлено, что комбинация силицена и дисульфида молибдена образует новую наносистему с металлическими свойствами, которые проявляются в ее электротранспортных характеристиках. Показано, что гибридная наноструктура графен–MoS$_2$–силицен обладает выпрямляющими свойствами из-за образования барьера Шоттки, а на ее вольт-амперной характеристике при положительном напряжении возникают ступеньки кулоновского происхождения.
Ключевые слова: электронный транспорт, графен, силицен, дисульфид молибдена (MoS$_2$), вольт-амперная характеристика, дифференциальная проводимость.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Республики Казахстан AP08052562
Работа выполнена в рамках проекта Комитета науки Министерства образования и науки Республики Казахстан (грант № AP08052562).
Поступила в редакцию: 14.10.2020
Исправленный вариант: 01.01.2021
Принята в печать: 02.01.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 6, Pages 417–420
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021040295
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. М. Сергеев, А. Г. Дуйсенова, “Электронный транспорт в модельных квазидвумерных ван-дер-ваальсовых наноустройствах”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 7–10; Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 417–420
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerDui21}
\by Д.~М.~Сергеев, А.~Г.~Дуйсенова
\paper Электронный транспорт в модельных квазидвумерных ван-дер-ваальсовых наноустройствах
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 8
\pages 7--10
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6557}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.08.50844.18583}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46333403}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 6
\pages 417--420
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021040295}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6557
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i8/p7
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:58
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024