Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 1, страницы 65–71 (Mi pjtf6550)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Модификация свойств диоксида ванадия методом плазменно-иммерсионной ионной имплантации

С. В. Бурдюх, Г. Б. Стефанович, А. Л. Пергамент, О. Я. Березина, Н. А. Авдеев, А. Б. Черемисин

Петрозаводский государственный университет
Аннотация: Описано влияние гидрирования тонких пленок диоксида ванадия методом плазменной иммерсионной ионной имплантации на электропроводность пленок диоксида ванадия. Показано, что параметры фазового перехода металл-изолятор, наблюдающегося в пленках VO$_{2}$, зависят от дозы облучения. При дозах, превышающих некоторое пороговое значение, происходит металлизация пленок, фазовый переход исчезает. Водород удерживается в пленках значительно дольше, чем при гидрировании другими способами.
Поступила в редакцию: 24.08.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 1, Pages 32–35
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016010041
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Бурдюх, Г. Б. Стефанович, А. Л. Пергамент, О. Я. Березина, Н. А. Авдеев, А. Б. Черемисин, “Модификация свойств диоксида ванадия методом плазменно-иммерсионной ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 65–71; Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 32–35
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BurStePer16}
\by С.~В.~Бурдюх, Г.~Б.~Стефанович, А.~Л.~Пергамент, О.~Я.~Березина, Н.~А.~Авдеев, А.~Б.~Черемисин
\paper Модификация свойств диоксида ванадия методом плазменно-иммерсионной ионной имплантации
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 1
\pages 65--71
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6550}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25669658}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 1
\pages 32--35
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016010041}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6550
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i1/p65
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024