Аннотация:
Рассматривается магниточувствительный элемент, представляющий собой комбинацию тонкопленочного Si-транзистора со встроенным каналом, изготовленного по технологии “кремний на изоляторе”, и элемента Холла. Транзистор имеет двухзатворную управляющую полевую систему типа металл-диэлектрик-полупроводник–диэлектрик–металл. Он функционирует в режиме обогащения канала носителями тока при частичном обеднении областей пленки Si, прилегающих к каналу. Показано, что прибор функционирует до температур порядка 350∘C (что на 160–180∘C выше, чем у элемента Холла, изготовленного на основе объемных кристаллов Si) и не уступает по этому параметру элементам Холла на основе широкозонных полупроводников.
Образец цитирования:
А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, М. И. Павлюк, “Тонкопленочный кремниевый магниточувствительный полевой транзистор холловского типа с расширенным до 350∘C диапазоном рабочих температур”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 30–36; Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 71–74