|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 4, страницы 1–8
(Mi pjtf6496)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Локализация иона в плоской ловушке с периодическим псевдопотенциалом
С. С. Рудый, Ю. В. Рождественский Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербург
Аннотация:
Рассматриваются особенности захвата и принцип стабилизации иона под действием динамически изменяющегося псевдопотенциала, возникающего вследствие фазовой модуляции удерживающего поля. Показано, что происходит деформация зон устойчивости относительно случая гармонической модуляции электрического поля. Найдены условия локализации иона при апериодически модулированном напряжении и получено выражение удерживающего псевдопотенциала для общего случая возбуждающего сигнала.
Поступила в редакцию: 22.07.2015
Образец цитирования:
С. С. Рудый, Ю. В. Рождественский, “Локализация иона в плоской ловушке с периодическим псевдопотенциалом”, Письма в ЖТФ, 42:4 (2016), 1–8; Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 167–170
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6496 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i4/p1
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 17 |
|