Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 7, страницы 90–97 (Mi pjtf6463)  
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Микроволновый криогенный малошумящий гетероструктурный SiGe усилитель

Б. И. Ивановa, M. Grajcarbc, И. Л. Новиковa, А. Г. Вострецовa, Е. Ильичевad

a Новосибирский государственный технический университет
b Department of Experimental Physics, Comenius University, Bratislava
c Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences
d Leibniz Institute of Photonic Technology, Germany
PDF полного текста (104 kB) Список цитирования (14)
Аннотация: Для измерения слабых микроволновых сигналов в субкельвиновых температурах был разработан малошумящий криогенный усилитель. Основу усилителя составляют пять каскадов на основе SiGe биполярных гетероструктурных транзисторов. Усилитель имеет коэффициент усиления 35 dB в полосе частот от 100 MHz до 4 GHz при рабочей температуре 800 mK. В качестве примера применения усилителя приводятся характеристики сверхпроводникового квантового бита, измеренные на основе разработанного усилителя в режиме сверхмалой мощности. Показана амплитудно-частотная характеристика структуры сверхпроводниковый кубит–копланарный резонатор. Приведена характеристика основного состояния кубита в квазидисперсном режиме измерения.
Поступила в редакцию: 20.11.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 4, Pages 380–383
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016040076
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. И. Иванов, M. Grajcar, И. Л. Новиков, А. Г. Вострецов, Е. Ильичев, “Микроволновый криогенный малошумящий гетероструктурный SiGe усилитель”, Письма в ЖТФ, 42:7 (2016), 90–97; Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 380–383
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaGraNov16}
\by Б.~И.~Иванов, M.~Grajcar, И.~Л.~Новиков, А.~Г.~Вострецов, Е.~Ильичев
\paper Микроволновый криогенный малошумящий гетероструктурный SiGe усилитель
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 7
\pages 90--97
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6463}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368170}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 4
\pages 380--383
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016040076}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6463
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i7/p90
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024