|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 8, страницы 70–77
(Mi pjtf6446)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Сегнетоэлектрические пленки титаната бария-стронция на подложке полуизолирующего карбида кремния
А. В. Тумаркинa, С. В. Разумовa, А. Г. Гагаринa, А. А. Одинецa, А. К. Михайловab, И. П. Пронинc, В. М. Стожаровd, С. В. Сенкевичc, Н. К. Травинe a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Дагестанский государственный университет, г. Махачкала
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
e ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Тонкие слои Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$ впервые выращены на подложке полуизолирующего карбида кремния методом высокочастотного магнетронного распыления керамической мишени без использования буферных подслоев. Представлены результаты исследований структуры сегнетоэлектрических пленок и электрофизических характеристик планарных конденсаторов на их основе. Полученные образцы характеризуются высокой нелинейностью и низким уровнем диэлектрических потерь на сверхвысоких частотах.
Поступила в редакцию: 24.11.2015
Образец цитирования:
А. В. Тумаркин, С. В. Разумов, А. Г. Гагарин, А. А. Одинец, А. К. Михайлов, И. П. Пронин, В. М. Стожаров, С. В. Сенкевич, Н. К. Травин, “Сегнетоэлектрические пленки титаната бария-стронция на подложке полуизолирующего карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 70–77; Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 423–426
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6446 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i8/p70
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 65 | PDF полного текста: | 38 |
|