|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 10, страницы 99–105
(Mi pjtf6422)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Самосовмещенные магниторезистивные структуры: новый подход к увеличению чувствительности
Н. А. Дюжевa, А. С. Юровa, Р. Ю. Преображенскийa, Н. С. Мазуркинa, М. Ю. Чиненковab a Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
b ООО "СПИНТЕК", Москва
Аннотация:
Предложен новый тип конструкции анизотропных магниторезистивных структур, в котором форма ферромагнитных элементов повторяет форму немагнитных проводящих шунтов. Численное моделирование, учитывающее неоднородное распределение намагниченности, показало, что самосовмещенные структуры демонстрируют значительное ($\sim$70%) увеличение чувствительности по сравнению с классическими barber-pole структурами.
Поступила в редакцию: 20.11.2015
Образец цитирования:
Н. А. Дюжев, А. С. Юров, Р. Ю. Преображенский, Н. С. Мазуркин, М. Ю. Чиненков, “Самосовмещенные магниторезистивные структуры: новый подход к увеличению чувствительности”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 99–105; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 546–549
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6422 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i10/p99
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 16 | PDF полного текста: | 7 |
|