Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 12, страницы 103–110 (Mi pjtf6394)  

Исследование дисперсий нанопорошков сегнетоэлектриков в диоктилфталате в качестве рабочих сред емкостных электронных компонентов

А. В. Гороховский, Н. В. Горшков, И. Н. Бурмистров, В. Г. Гоффман, Е. В. Третьяченко, А. В. Севрюгин, Ф. С. Федоров, Н. Н. Ковынева

Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.
Аннотация: Методами импедансной спектроскопии в диапазоне частот 10$^{-1}$–10$^{6}$ Hz исследованы электрофизические свойства дисперсий порошков композитного сегнетоэлектрика, состоящего из нанокомпозитных частиц на основе комбинации ильменита (FeTiO$_{3}$) и голландита состава K$_{1.46}$Ti$_{7.2}$Fe$_{0.8}$O$_{16}$ в диоктилфталате. Изучено влияние добавок катионных и анионных поверхностно-активных веществ, а также стабилизирующих добавок ацетилацетоната железа на величину диэлектрической проницаемости, проводимости и диэлектрических потерь для дисперсий, содержащих 40 mass% дисперсной фазы. Обсуждается влияние состава композиции на механизм релаксационных процессов, протекающих в исследованной системе.
Поступила в редакцию: 25.09.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 6, Pages 659–662
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016060213
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Гороховский, Н. В. Горшков, И. Н. Бурмистров, В. Г. Гоффман, Е. В. Третьяченко, А. В. Севрюгин, Ф. С. Федоров, Н. Н. Ковынева, “Исследование дисперсий нанопорошков сегнетоэлектриков в диоктилфталате в качестве рабочих сред емкостных электронных компонентов”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 103–110; Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 659–662
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorGorBur16}
\by А.~В.~Гороховский, Н.~В.~Горшков, И.~Н.~Бурмистров, В.~Г.~Гоффман, Е.~В.~Третьяченко, А.~В.~Севрюгин, Ф.~С.~Федоров, Н.~Н.~Ковынева
\paper Исследование дисперсий нанопорошков сегнетоэлектриков в диоктилфталате в качестве рабочих сред емкостных электронных компонентов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 12
\pages 103--110
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6394}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368243}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 6
\pages 659--662
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016060213}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6394
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i12/p103
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024