|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 12, страницы 103–110
(Mi pjtf6394)
|
|
|
|
Исследование дисперсий нанопорошков сегнетоэлектриков в диоктилфталате в качестве рабочих сред емкостных электронных компонентов
А. В. Гороховский, Н. В. Горшков, И. Н. Бурмистров, В. Г. Гоффман, Е. В. Третьяченко, А. В. Севрюгин, Ф. С. Федоров, Н. Н. Ковынева Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.
Аннотация:
Методами импедансной спектроскопии в диапазоне частот 10$^{-1}$–10$^{6}$ Hz исследованы электрофизические свойства дисперсий порошков композитного сегнетоэлектрика, состоящего из нанокомпозитных частиц на основе комбинации ильменита (FeTiO$_{3}$) и голландита состава K$_{1.46}$Ti$_{7.2}$Fe$_{0.8}$O$_{16}$ в диоктилфталате. Изучено влияние добавок катионных и анионных поверхностно-активных веществ, а также стабилизирующих добавок ацетилацетоната железа на величину диэлектрической проницаемости, проводимости и диэлектрических потерь для дисперсий, содержащих 40 mass% дисперсной фазы. Обсуждается влияние состава композиции на механизм релаксационных процессов, протекающих в исследованной системе.
Поступила в редакцию: 25.09.2015
Образец цитирования:
А. В. Гороховский, Н. В. Горшков, И. Н. Бурмистров, В. Г. Гоффман, Е. В. Третьяченко, А. В. Севрюгин, Ф. С. Федоров, Н. Н. Ковынева, “Исследование дисперсий нанопорошков сегнетоэлектриков в диоктилфталате в качестве рабочих сред емкостных электронных компонентов”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 103–110; Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 659–662
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6394 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i12/p103
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 7 |
|