|
Письма в Журнал технической физики, 1987, том 13, выпуск 19, страницы 1168–1171
(Mi pjtf639)
|
|
|
|
Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию: 09.06.1987
Образец цитирования:
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 13:19 (1987), 1168–1171
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf639 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v13/i19/p1168
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 53 | PDF полного текста: | 29 |
|