Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 15, страницы 27–35 (Mi pjtf6340)  
Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии

М. Н. Дроздовab, Ю. Н. Дроздовab, П. А. Юнинab, П. И. Фоломинc, А. Б. Гриценкоc, В. Л. Крюковd, Е. В. Крюковd

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
d ООО "МеГа Эпитех", Калуга
PDF полного текста (266 kB)
Аннотация: Показана новая возможность анализа атомного состава толстых ($>$100 mum) эпитаксиальных слоев GaAs методом ВИМС с использованием латерального изображения поперечного сечения структуры. Стандартная геометрия послойного анализа оказывается малоинформативной из-за перенапыления материала со стенок на дно кратера при возрастании глубины кратера до нескольких десятков микрон. Определены профили концентрации легирующей примеси Te и Zn, концентрации Al и основных примесей в слоях PIN-диода на глубину 130 $\mu$m. Элементная чувствительность находится на уровне 10$^{16}$ at./cm$^{3}$, стандартном для послойного анализа на установке TOF.SIMS-5, разрешение равно удвоенному диаметру пучка зондирующих ионов Bi. Обсуждаются возможности повышения разрешения по глубине и элементной чувствительности предложенного метода анализа.
Поступила в редакцию: 26.02.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 8, Pages 783–787
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501608006X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, П. А. Юнин, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, В. Л. Крюков, Е. В. Крюков, “Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 27–35; Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 783–787
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DroDroYun16}
\by М.~Н.~Дроздов, Ю.~Н.~Дроздов, П.~А.~Юнин, П.~И.~Фоломин, А.~Б.~Гриценко, В.~Л.~Крюков, Е.~В.~Крюков
\paper Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 15
\pages 27--35
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6340}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368277}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 8
\pages 783--787
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501608006X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6340
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i15/p27
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024