|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 15, страницы 19–26
(Mi pjtf6339)
|
|
|
|
Электронная теплопроводность эпитаксиального графена на карбиде кремния
З. З. Алисултановabc, Р. П. Мейлановd a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
c Дагестанский государственный университет, г. Махачкала
d Институт проблем геотермии Дагестанского НЦ РАН, г. Махачкала
Аннотация:
В рамках простой аналитической модели исследована диагональная компо- нента тензора электронной теплопроводности эпитаксиального графена, сформированного в полупроводнике. Показано, что при значениях химического потенциала вблизи края запрещенной зоны подложки теплопроводность резко изменяется. Получены низкотемпературные выражения для теплопроводности.
Поступила в редакцию: 20.10.2015
Образец цитирования:
З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, “Электронная теплопроводность эпитаксиального графена на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 19–26; Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 779–782
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6339 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i15/p19
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 20 | PDF полного текста: | 10 |
|