Высокая эффективность двухчастотной лазерной генерации в трехбарьерных наноструктурах с баллистическим транспортом электронов

Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами в приближении функции распределения электронов, слабо меняющейся на энергиях порядка нескольких ширин квантового уровня, исследована зависимость интегрального коэффициента прохождения от амплитуды и частоты сильных высокочастотных резонансных полей при двухфотонных переходах. Показано, что, несмотря на сильную зависимость формы и ширины резонансных уровней от амплитуд СВЧ-полей, в сильных полях общая картина интегрального взаимодействия электронов с фотонами слабо меняется в широком диапазоне изменения ширин уровней и амплитуд.