|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 19, страницы 55–61
(Mi pjtf6292)
|
|
|
|
Фотолюминесценция в области края фундаментального поглощения текстурированного без маскирования монокристаллического кремния
А. М. Емельяновa, С. Н. Аболмасовb, Е. И. Теруковab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
Аннотация:
Проведено сравнение эффективностей вывода краевой люминесценции из монокристаллического кремния для трех структур: текстурированной без маскирования, нетекстурированной и текстурированной с использованием маскирования по технологии высокоэффективных солнечных элементов. Наибольшая эффективность получена для структуры, текстурированной без маскирования. В условиях безызлучательной рекомбинации, описываемых постоянной времени экспоненциального спада фотолюминесценции (ФЛ) $\sim$0.11 ms, для текстурированной без маскирования структуры величина коэффициента преобразования мощности излучения на длине волны $\sim$0.66 $\mu$m, равной 75 mW, в выходящую из полупроводника мощность краевой ФЛ составила $\eta\approx$ 0.8%. Измерены диаграммы направленности краевой ФЛ для трех исследованных структур.
Поступила в редакцию: 04.03.2016
Образец цитирования:
А. М. Емельянов, С. Н. Аболмасов, Е. И. Теруков, “Фотолюминесценция в области края фундаментального поглощения текстурированного без маскирования монокристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 55–61; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1002–1004
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6292 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i19/p55
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 12 |
|