Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 20, страницы 18–23 (Mi pjtf6276)  

Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)

А. В. Андриановa, А. О. Захарьинa, Р. Х. Жукавинb, В. Н. Шастинbc, Д. В. Шенгуровb, Н. В. Абросимовd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Аннотация: Представлены результаты исследования терагерцовой электролюминесценции, вызванной примесным пробоем в кристаллах кремния, легированных литием. В спектре терагерцового излучения видны линии внутрицентровых переходов электронов между возбужденными примесными состояниями и подуровнями основного состояния донора лития. В спектре присутствует также фон, который, по-видимому, обусловлен проявлением эффектов разогрева при электрическом возбуждении.
Поступила в редакцию: 31.05.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 10, Pages 1031–1033
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016100163
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Д. В. Шенгуров, Н. В. Абросимов, “Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 18–23; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndZahZhu16}
\by А.~В.~Андрианов, А.~О.~Захарьин, Р.~Х.~Жукавин, В.~Н.~Шастин, Д.~В.~Шенгуров, Н.~В.~Абросимов
\paper Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 20
\pages 18--23
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6276}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368343}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 10
\pages 1031--1033
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016100163}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6276
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i20/p18
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024