|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 20, страницы 18–23
(Mi pjtf6276)
|
|
|
|
Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)
А. В. Андриановa, А. О. Захарьинa, Р. Х. Жукавинb, В. Н. Шастинbc, Д. В. Шенгуровb, Н. В. Абросимовd a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Аннотация:
Представлены результаты исследования терагерцовой электролюминесценции, вызванной примесным пробоем в кристаллах кремния, легированных литием. В спектре терагерцового излучения видны линии внутрицентровых переходов электронов между возбужденными примесными состояниями и подуровнями основного состояния донора лития. В спектре присутствует также фон, который, по-видимому, обусловлен проявлением эффектов разогрева при электрическом возбуждении.
Поступила в редакцию: 31.05.2016
Образец цитирования:
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Д. В. Шенгуров, Н. В. Абросимов, “Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 18–23; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6276 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i20/p18
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 17 |
|