Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 21, страницы 1–8 (Mi pjtf6263)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом

О. Г. Вендикa, И. Б. Вендикa, П. А. Туральчукa, Я. М. Парнесa, М. Д. Парнесb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b ООО "Резонанс", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (301 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Обсуждается методика синтеза микроволновых усилителей мощности на транзисторах с гетеропереходом AlGaN/GaN. Основное внимание уделено разработке методики синтеза трансформирующих цепей усилителя мощности с целью увеличения коэффициента полезного действия при сохранении высокого уровня выходной мощности. Используется независимое согласование на частотах гармоник и на фундаментальной частоте, что позволяет управлять значением достижимого коэффициента полезного действия в широкой полосе частот наряду с полным подавлением гармоник за пределами рабочей полосы. Разработаны и экспериментально исследованы микроволновые усилители мощности на 4 и 9 GHz.
Поступила в редакцию: 10.03.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 11, Pages 1061–1063
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016110110
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Г. Вендик, И. Б. Вендик, П. А. Туральчук, Я. М. Парнес, М. Д. Парнес, “Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 1–8; Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1061–1063
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VenVenTur16}
\by О.~Г.~Вендик, И.~Б.~Вендик, П.~А.~Туральчук, Я.~М.~Парнес, М.~Д.~Парнес
\paper Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 21
\pages 1--8
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6263}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368351}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 11
\pages 1061--1063
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016110110}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6263
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i21/p1
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024