Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs

Исследованы вольт-амперные характеристики барьеров Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs/InP в температурном диапазоне 100–380 K. Показано, что при повышении температуры от 100 до 200 K коэффициент идеальности уменьшается от 1.58 до 1.1, а высота барьера повышается от 0.55 до 0.69 eV. При дальнейшем повышении температуры от 200 до 380 K коэффициент идеальности и высота барьера изменяются слабо. Такое поведение хорошо согласуется с моделью латеральной неоднородности высоты барьера (модель Танга), что подтверждается линейной зависимостью высоты барьера от коэффициента идеальности в диапазоне температур 100–200 K. В соответствии с этой моделью были рассчитаны значения высоты барьера гомогенного перехода 0.88 eV, среднеквадратичного отклонения 10$^{-4}$cm$^{2/3}$ $\cdot$ V$^{1/3}$ гауссова распределения высоты барьера, эффективной площади областей с пониженной высотой барьера 3.7 $\cdot$ 10$^{-11}$ cm$^{2}$ и постоянной Ричардсона 10.7 A $\cdot$ cm$^{-2}$ $\cdot$ K$^{-2}$.