Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 12, страницы 68–74
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.12.44710.16495
(Mi pjtf6200)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Влияние облучения быстрыми протонами с энергией 32 MeV на критические параметры современных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb$_{3}$Sn

П. Н. Дегтяренкоab, A. Ballarinoc, L. Botturac, С. Ю. Гаврилкинd, R. Flükigerc, В. С. Кругловae, С. Т. Латушкинa, А. И. Рязановae, C. Scheuerleinc, E. Семеновa, С. В. Шавкинa, T. Spinac, В. Н. Унежевa

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
c ЦЕРН, Женева, Швейцария
d Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
e Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация: Методами вибрационной магнитометрии проведены исследования изменений электрофизических характеристик нескольких типов современных коммерческих многожильных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb$_{3}$Sn при температурах 4.2, 7 и 12 K в магнитных полях до 8 T до и после облучения на циклотроне НИЦ КИ быстрыми протонами с энергией 32 MeV и флюенсами облучения $\phi t$ = 3 $\cdot$ 10$^{16}$, 1 $\cdot$ 10$^{17}$, 3 $\cdot$ 10$^{17}$ и 1 $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-2}$. Для всех образцов при флюенсах облучения до $\phi t$ = 1 $\cdot$ 10$^{17}$ cm$^{-2}$ отмечен рост критической плотности тока, наиболее резко выраженный в сильных магнитных полях и при низких температурах; при флюенсе облучения $\phi t$ = 1 $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-2}$ наблюдается падение критической плотности тока до уровня меньше исходного. Критическая температура образцов монотонно уменьшается с ростом флюенса облучения.
Поступила в редакцию: 26.09.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 6, Pages 574–576
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017060189
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. Н. Дегтяренко, A. Ballarino, L. Bottura, С. Ю. Гаврилкин, R. Flükiger, В. С. Круглов, С. Т. Латушкин, А. И. Рязанов, C. Scheuerlein, E. Семенов, С. В. Шавкин, T. Spina, В. Н. Унежев, “Влияние облучения быстрыми протонами с энергией 32 MeV на критические параметры современных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb$_{3}$Sn”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 68–74; Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 574–576
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DegBalBot17}
\by П.~Н.~Дегтяренко, A.~Ballarino, L.~Bottura, С.~Ю.~Гаврилкин, R.~Fl\"ukiger, В.~С.~Круглов, С.~Т.~Латушкин, А.~И.~Рязанов, C.~Scheuerlein, E.~Семенов, С.~В.~Шавкин, T.~Spina, В.~Н.~Унежев
\paper Влияние облучения быстрыми протонами с энергией 32 MeV на критические параметры современных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb$_{3}$Sn
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 12
\pages 68--74
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6200}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.12.44710.16495}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29359324}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 6
\pages 574--576
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017060189}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6200
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i12/p68
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024