|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Влияние облучения быстрыми протонами с энергией 32 MeV на критические параметры современных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb$_{3}$Sn
П. Н. Дегтяренкоab, A. Ballarinoc, L. Botturac, С. Ю. Гаврилкинd, R. Flükigerc, В. С. Кругловae, С. Т. Латушкинa, А. И. Рязановae, C. Scheuerleinc, E. Семеновa, С. В. Шавкинa, T. Spinac, В. Н. Унежевa a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
c ЦЕРН, Женева, Швейцария
d Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
e Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация:
Методами вибрационной магнитометрии проведены исследования изменений электрофизических характеристик нескольких типов современных коммерческих многожильных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb$_{3}$Sn при температурах 4.2, 7 и 12 K в магнитных полях до 8 T до и после облучения на циклотроне НИЦ КИ быстрыми протонами с энергией 32 MeV и флюенсами облучения $\phi t$ = 3 $\cdot$ 10$^{16}$, 1 $\cdot$ 10$^{17}$, 3 $\cdot$ 10$^{17}$ и 1 $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-2}$. Для всех образцов при флюенсах облучения до $\phi t$ = 1 $\cdot$ 10$^{17}$ cm$^{-2}$ отмечен рост критической плотности тока, наиболее резко выраженный в сильных магнитных полях и при низких температурах; при флюенсе облучения $\phi t$ = 1 $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-2}$ наблюдается падение критической плотности тока до уровня меньше исходного. Критическая температура образцов монотонно уменьшается с ростом флюенса облучения.
Поступила в редакцию: 26.09.2016
Образец цитирования:
П. Н. Дегтяренко, A. Ballarino, L. Bottura, С. Ю. Гаврилкин, R. Flükiger, В. С. Круглов, С. Т. Латушкин, А. И. Рязанов, C. Scheuerlein, E. Семенов, С. В. Шавкин, T. Spina, В. Н. Унежев, “Влияние облучения быстрыми протонами с энергией 32 MeV на критические параметры современных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb$_{3}$Sn”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 68–74; Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 574–576
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6200 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i12/p68
|
|