Технология роста и характеристики полученных тонких пленок иридата стронция и гетероструктур иридат-купратный сверхпроводник

Предложена и отработана технология эпитаксиального роста тонких пленок иридата стронция Sr$_{2}$IrO$_{4}$ и гетероструктур Sr$_{2}$IrO$_{4}$/YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$, содержащих купратный сверхпроводник. Показано, что рост двухслойной структуры происходит эпитаксиально, а слой купратного сверхпроводника имеет ту же критическую температуру, что и автономная пленка ($\sim$ 91 K). Кристаллографические параметры полученных пленок иридата близки к табличным значениям, температурные зависимости сопротивления тонких пленок согласуются с литературными данными.