|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Получение стехиометрической пленки Bi$_{2}$Se$_{3}$ вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Bi
В. Я. Когай, К. Г. Михеев, Г. М. Михеев Институт механики УрО РАН, г. Ижевск
Аннотация:
Впервые показана возможность получения стехиометрической пленки Bi$_{2}$Se$_{3}$ вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Bi. Установлено, что получение стехиометрической пленки Bi$_{2}$Se$_{3}$ возможно только при определенном соотношении толщин пленок Se и Bi ($d_{\mathrm{Se}}/d_{\mathrm{Bi}}$ = 3.13). Методами рентгеновской дифрактометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света изучены фазовые превращения, протекающие в гетероструктуре Se(141 nm)/ Bi(45 nm) после вакуумно-термической обработки. Определены температуры фазового перехода, при которых образуются различные кристаллические фазы. Показано, что в гетероструктуре Se(141 nm)/Bi(45 nm), нагретой до 493 K, процесс кристаллизации Bi$_{2}$Se$_{3}$ протекает по экспоненциальному закону с характерным временем установления равновесного состояния 20 min.
Поступила в редакцию: 02.02.2017
Образец цитирования:
В. Я. Когай, К. Г. Михеев, Г. М. Михеев, “Получение стехиометрической пленки Bi$_{2}$Se$_{3}$ вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Bi”, Письма в ЖТФ, 43:15 (2017), 34–41; Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 701–704
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6158 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i15/p34
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 7 |
|