|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Сравнение элементов флеш-памяти с использованием материалов на основе графена
И. В. Антоноваabc, И. А. Котинa, О. М. Орловd, С. Ф. Девятоваa a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
d Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Москва
Аннотация:
Исследован захват заряда на тестовые структуры флеш-памяти с плавающими затворами из графена (мультиграфена) и его соединений (оксида графена и частично фторированного графена). Сравнение окна памяти для различных структур показало перспективность использования восстановленного оксида графена, мультиграфена и фторографена. Частично фторированный графен впервые был использован в качестве плавающего затвора в структурах флеш-памяти. Материалы на основе графена перспективны для 2D-печатных технологий и гибкой электроники.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Образец цитирования:
И. В. Антонова, И. А. Котин, О. М. Орлов, С. Ф. Девятова, “Сравнение элементов флеш-памяти с использованием материалов на основе графена”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 43–50; Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 889–892
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6107 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i19/p43
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 20 |
|