|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Исследование влияния случайных флуктуаций концентрации легирующей примеси на ток в полупроводниковых сверхрешетках
А. Сельскийab, А. А. Короновскийa, О. И. Москаленкоa, А. Е. Храмовb a Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
b Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.
Аннотация:
Исследуется, как случайные флуктуации концентрации легирующей примеси влияют на вольт-амперные характеристики тока, протекающего через полупроводниковую сверхрешетку. Показано, что в зависимости от амплитуды флуктуаций параметров наноструктуры характеристики тока, протекающего через сверхрешетку, заметно изменяются. По малой выборке удалось найти закон распределения плотности вероятности значений интеграла модуля разности токов при различных значениях амплитуды флуктуаций концентрации легирующей примеси.
Поступила в редакцию: 01.06.2017
Образец цитирования:
А. Сельский, А. А. Короновский, О. И. Москаленко, А. Е. Храмов, “Исследование влияния случайных флуктуаций концентрации легирующей примеси на ток в полупроводниковых сверхрешетках”, Письма в ЖТФ, 43:20 (2017), 3–11; Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 912–915
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6091 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i20/p3
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 57 | PDF полного текста: | 19 |
|