Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 2, страницы 3–9
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.02.44180.16463 (Mi pjtf6010) 		 
Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm

А. Е. Маричев, Р. В. Левин, А. Б. Гордеева, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Б. В. Пушный, Н. Д. Прасолов, Н. М. Шмидт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (425 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.02.44180.16463
Аннотация: Исследованы особенности релаксации механических напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах, являющихся основой для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm. Показано, что релаксация механических напряжений путем образования упорядоченного рельефа на поверхности слоев твердого раствора InGaAsP/InP-гетероструктур с составом твердого раствора по индию до 80% позволяет уменьшить вероятность спинодального распада твердого раствора, повысить на порядок интенсивность фотолюминесценции твердого раствора и увеличить эффективность преобразования лазерного излучения.
Поступила в редакцию: 18.08.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 1, Pages 88–91
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017010230
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Маричев, Р. В. Левин, А. Б. Гордеева, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Б. В. Пушный, Н. Д. Прасолов, Н. М. Шмидт, “Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 3–9; Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 88–91
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarLevGor17}
\by А.~Е.~Маричев, Р.~В.~Левин, А.~Б.~Гордеева, Г.~С.~Гагис, В.~И.~Кучинский, Б.~В.~Пушный, Н.~Д.~Прасолов, Н.~М.~Шмидт
\paper Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 2
\pages 3--9
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6010}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.02.44180.16463}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28949510}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 1
\pages 88--91
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017010230}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6010
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i2/p3
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024