|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока
В. А. Сергеевab, И. В. Фроловa, О. А. Радаевab a Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Ульяновский государственный технический университет
Аннотация:
Показана возможность использования значений порогового тока для оценки качества светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов. Определено, что значения порогового тока коррелируют со значениями тока, при котором наблюдается максимум токовой зависимости внешней квантовой эффективности светодиода. Показано, что при испытаниях в режиме постоянного тока светодиоды с большими значениями порогового тока деградируют быстрее, чем светодиоды с малыми значениями порогового тока.
Поступила в редакцию: 26.05.2016
Образец цитирования:
В. А. Сергеев, И. В. Фролов, О. А. Радаев, “Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока”, Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 89–93; Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 224–226
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5995 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i4/p89
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 9 |
|