Температурное поведение спектров оптического поглощения квантовых точек InP/ZnS

Проведено исследование спектров оптического поглощения квантовых точек ядро/оболочка InP/ZnS в широком диапазоне температур $T$ = 6.5–296 K. Методом производной спектрофотометрии второго порядка определены энергии оптических переходов при комнатной температуре: $E_{1}$ = 2.60 $\pm$ 0.02 eV соответствует первому экситонному пику поглощения ядра InP, $E_{2}$ = 4.7 $\pm$ 0.02 eV может быть связана с процессами в оболочке ZnS. Впервые для нанокристаллов InP/ZnS выполнена аппроксимация экспериментальной зависимости $E_{1}(T)$ в рамках линейной модели и с помощью выражения Фэна. Показано, что изменение энергии $E_{1}$ с температурой обусловлено взаимодействием экситонов с продольными акустическими фононами $\hbar\omega$ = 15 meV.