Электронные ловушки в Gd$_{3}$Ga$_{3}$Al$_{2}$O$_{12}$:Ce-гранатах, активированных редкоземельными ионами

В диапазоне температур от 80 до 550 K измерены кривые термостимулированной люминесценции керамик Gd$_{3}$Ga$_{3}$Al$_{2}$O$_{12}$:Ce$^{3+}$: номинально чистого образца и образцов, активированных рядом редкоземельных ионов. Определены глубина залегания и частотный фактор электронных ловушек, обусловленных примесями Eu и Yb. Представлена энергетическая диаграмма уровней редкоземельных ионов в запрещенной зоне Gd$_{3}$Ga$_{3}$Al$_{2}$O$_{12}$.