Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированные методом спекания

Представлены результаты работ по формированию вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, полученных методом спекания пластин AlGaAs/GaAs распределенных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких квантовых ям, In$_{0.74}$Ga$_{0.26}$As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Лазеры с диаметром токовой апертуры 8 $\mu$m демонстрируют лазерную генерацию в непрерывном режиме с пороговым током менее 1.5 mA, выходной оптической мощностью 6 mW и КПД около 22%. Одномодовый режим генерации с коэффициентом подавления боковых мод в диапазоне значений 40–45 dB сохраняется во всем диапазоне рабочих токов. Частота эффективной модуляции лазеров достигает 9 GHz, ограничена низкой паразитной частотой отсечки и саморазогревом.