Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 6, страницы 17–24
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45763.17113
(Mi pjtf5852)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Простой численный метод определения энергетического спектра носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах

Г. Ф. Глинский

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация: Предлагается простой численный метод определения энергетического спектра и волновых функций носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах (квантовые ямы, нити, точки, сверхрешетки) в приближении эффективной массы. Рассматривается общий случай многозонного $kp$-гамильтониана, соответствующий точке $\Gamma$ зоны Бриллюэна. В основе метода лежит дискретное преобразование Фурье для структур с периодически изменяющимся потенциалом. Для одиночных гетероструктур такая периодичность вводится искусственно. Показано, что в рамках данного подхода эффективный матричный гамильтониан гетероструктуры может быть записан в двух унитарно-эквивалентных $a$- и $k$-представлениях. В качестве примера рассматривается однозонная $kp$-модель гетероструктуры с одиночной параболической, треугольной и прямоугольной квантовыми ямами. Исследуется влияние интерфейсных $kp$-поправок на поведение огибающих функций вблизи резких гетерограниц.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.1750.2017/4.6
Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования и науки РФ (проектная часть, 16.1750.2017/4.6).
Поступила в редакцию: 08.11.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 3, Pages 232–234
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018030161
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Ф. Глинский, “Простой численный метод определения энергетического спектра носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 17–24; Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 232–234
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gli18}
\by Г.~Ф.~Глинский
\paper Простой численный метод определения энергетического спектра носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 6
\pages 17--24
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5852}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45763.17113}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740231}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 3
\pages 232--234
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018030161}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5852
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i6/p17
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024