|
Дозовая зависимость формирования нанокристаллов в имплантированных гелием слоях кремния
А. А. Ломовa, А. В. Мяконькихa, Ю. М. Чесноковb, В. В. Денисовcd, А. Н. Кириченкоc, В. Н. Денисовcde a Физико-технологический институт РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, г. Троицк, Москва
d Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный
e Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк
Аннотация:
Впервые доказана возможность формирования нанокристаллов в слоях кремния, подвергнутых плазменно-иммерсионной ионной имплантации гелия с энергией 5 keV. Влияние дозы имплантации на микроструктуру слоев изучено методами рентгеновской рефлектометрии, просвечивающей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света. Установлено, что процесс формирования кремниевых нанокристаллов с размерами 10–20 nm имеет ярко выраженную зависимость от потока ионов и происходит при дозе
5 $\cdot$ 10$^{17}$ cm$^{-2}$ с последующим отжигом при 700–800$^\circ$C. Показано, что превышение этой дозы приводит к разрушению верхнего защитного субслоя и деградации оптических свойств нанокристаллов.
Поступила в редакцию: 07.11.2017
Образец цитирования:
А. А. Ломов, А. В. Мяконьких, Ю. М. Чесноков, В. В. Денисов, А. Н. Кириченко, В. Н. Денисов, “Дозовая зависимость формирования нанокристаллов в имплантированных гелием слоях кремния”, Письма в ЖТФ, 44:7 (2018), 39–46; Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 291–294
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5843 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i7/p39
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 7 |
|