|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Фотовольтаические характеристики светодиодов на основе AlGaAs
А. А. Соколовский Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация:
Исследованы фотовольтаические характеристики более 20 типов светодиодов, излучающих в диапазоне 830–970 nm. Показано, что полупроводниковые структуры Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, применяемые для изготовления таких светодиодов, могут использоваться также для изготовления фотовольтаических преобразователей монохроматического излучения с достаточно высоким КПД.
Поступила в редакцию: 13.12.2017
Образец цитирования:
А. А. Соколовский, “Фотовольтаические характеристики светодиодов на основе AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 44:8 (2018), 57–62; Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 341–343
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5831 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i8/p57
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 12 |
|