Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 9, страницы 26–33
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.09.46062.16990 (Mi pjtf5815) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Модель хаотической автоколебательной системы диапазона 10–30 GHz на основе SiGe-технологии 130 nm

Е. В. Ефремоваab

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
b Московский физико-технический институт (Государственный университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный
PDF полного текста (137 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.09.46062.16990
Аннотация: Рассматривается задача формирования сверхширокополосных хаотических колебаний в диапазоне частот 10–30 GHz, актуальная для систем связи пятого поколения. Предложена и исследована модель генератора на основе кремний-германиевой технологии 130 nm.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-19-00084
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 16-19-00084).
Поступила в редакцию: 28.07.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 5, Pages 378–380
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501805005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Ефремова, “Модель хаотической автоколебательной системы диапазона 10–30 GHz на основе SiGe-технологии 130 nm”, Письма в ЖТФ, 44:9 (2018), 26–33; Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 378–380
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Efr18}
\by Е.~В.~Ефремова
\paper Модель хаотической автоколебательной системы диапазона 10--30 GHz на основе SiGe-технологии 130 nm
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 9
\pages 26--33
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5815}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.09.46062.16990}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740273}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 5
\pages 378--380
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501805005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5815
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i9/p26
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024