Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 10, страницы 20–28
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.10.46095.17099 (Mi pjtf5801) 		 
Эта публикация цитируется в 33 научных статьях (всего в 33 статьях)

Прецизионный алгоритм переключения мемристора в состояние с заданным сопротивлением

К. Э. Никируйab, А. В. Емельяновab, В. А. Деминab, В. В. Рыльковa, А. В. Ситниковc, П. К. Кашкаровabd

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Московский физико-технический институт (Государственный университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный
c Воронежский государственный технический университет
d Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
PDF полного текста (132 kB) Список цитирования (33)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.10.46095.17099
Аннотация: Развит алгоритм перевода мемристора в состояние с заданным сопротивлением с высокой точностью. Алгоритм основан на подаче импульсов напряжения с плавно растущей амплитудой и случайным образом изменяющейся длительностью в заданных пределах. Продемонстрирована возможность реализации алгоритма на примере мемристорных структур на основе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$ с $x\approx$ 10 at.%. Подобраны оптимальные параметры для работы алгоритма с минимальным количеством итераций, позволившие достичь в этом случае точности задания сопротивления не хуже 0.5%. Полученные результаты могут быть использованы при создании нейроморфных систем.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-19-10233
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 16-19-10233).
Поступила в редакцию: 30.10.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 5, Pages 416–419
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501805022X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Э. Никируй, А. В. Емельянов, В. А. Демин, В. В. Рыльков, А. В. Ситников, П. К. Кашкаров, “Прецизионный алгоритм переключения мемристора в состояние с заданным сопротивлением”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 20–28; Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 416–419
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikEmeDem18}
\by К.~Э.~Никируй, А.~В.~Емельянов, В.~А.~Демин, В.~В.~Рыльков, А.~В.~Ситников, П.~К.~Кашкаров
\paper Прецизионный алгоритм переключения мемристора в состояние с заданным сопротивлением
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 10
\pages 20--28
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5801}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.10.46095.17099}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740284}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 5
\pages 416--419
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501805022X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5801
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i10/p20
    • Эта публикация цитируется в следующих 33 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024