Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 11, страницы 30–37
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.11.46194.17257
(Mi pjtf5789)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Структура, диэлектрические и оптические свойства $c$-ориентированных пленок SBN-50, выращенных на подложке Pt/Al$_{2}$O$_{3}$

А. В. Павленкоab, А. П. Ковтунa, С. П. Зинченкоab, Д. В. Стрюковab

a Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
b Южный федеральный университет, г. Ростов-на-Дону
Аннотация: Проведены исследования структуры, диэлектрических и оптических свойств тонких пленок сегнетоэлектрика-релаксора Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$, выращенных методом высокочастотного RF-напыления в атмосфере кислорода на подложке Pt(111)/Al$_{2}$O$_{3}$ ($c$-срез). Рентгеноструктурные исследования показали, что пленки Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$Nb$_{2}$O$_{6}$ являются $c$-ориентированными, параметры элементарной ячейки в тетрагональном приближении составили $c$ = 3.949(1) $\mathring{\mathrm{A}}$ и $a$ = 12.38(1) $\mathring{\mathrm{A}}$. Установлено, что в объекте по сравнению с объемным материалом увеличивается температура перехода из сегнетоэлектрической в параэлектрическую фазу и возрастает оптическая анизотропия. Обсуждаются причины выявленных закономерностей.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 01201354247
МК-4100.2018.2
Работа выполнена в рамках реализации госзадания ЮНЦ РАН на 2018 г. (проект № 01201354247) и гранта Президента РФ № МК-4100.2018.2.
Поступила в редакцию: 16.02.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 6, Pages 469–472
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018060068
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Павленко, А. П. Ковтун, С. П. Зинченко, Д. В. Стрюков, “Структура, диэлектрические и оптические свойства $c$-ориентированных пленок SBN-50, выращенных на подложке Pt/Al$_{2}$O$_{3}$”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018), 30–37; Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 469–472
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavKovZin18}
\by А.~В.~Павленко, А.~П.~Ковтун, С.~П.~Зинченко, Д.~В.~Стрюков
\paper Структура, диэлектрические и оптические свойства $c$-ориентированных пленок SBN-50, выращенных на подложке Pt/Al$_{2}$O$_{3}$
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 11
\pages 30--37
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5789}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.11.46194.17257}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982903}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 6
\pages 469--472
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018060068}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5789
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i11/p30
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024