Форма распределения интенсивности рентгеновской дифракции в обратном пространстве и ее связь с дислокационной структурой эпитаксиальных слоев

Измерена дифракция в асимметричной брэгговской геометрии и построены карты распределения интенсивности в обратном пространстве для эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на $c$-сапфире, с разной степенью структурного совершенства. Подтверждено, что для регулярной системы прорастающих перпендикулярных прямолинейных дислокаций контуры равной интенсивности вытянуты в направлении, параллельном поверхности. При более хаотичном распределении дислокаций с большой долей горизонтальных фрагментов контуры развернуты в сторону направления, перпендикулярного вектору обратной решетки, хотя и не достигают предельного положения, характеризующего идеально мозаичный кристалл.