Формирование полых свинцовых структур на поверхности пленок PbSe при обработке в аргоновой плазме

Предложены условия плазменного распыления эпитаксиальных систем PbSe/CaF$_{2}$/Si(111) в высокоплотной аргоновой плазме высокочастотного индукционного разряда низкого давления, при которых на поверхности пленок селенида свинца формируются субмикронные полые структуры свинца. Обработка проводилась при низкой энергии ионов Ar$^{+}$ (20–30 eV), близкой к пороговой энергии распыления, при временах обработки 60–240 s. С помощью методов электронной микроскопии и локального энергодисперсионного рентгеновского анализа описаны свойства получаемых объектов. Показано, что размеры структур, их форма и поверхностная плотность изменяются в широких пределах и определяются временем плазменной обработки и температурой поверхности. Рассматриваются физические процессы, приводящие к формированию ансамбля полых частиц свинца в процессе плазменного распыления.