|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
Формирование полых свинцовых структур на поверхности пленок PbSe при обработке в аргоновой плазме
С. П. Зиминa, И. И. Амировb, В. В. Наумовb, К. Е. Гусеваa a Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
b Ярославский филиал Физико-технологического института РАН,
Ярославль, Россия
Аннотация:
Предложены условия плазменного распыления эпитаксиальных систем PbSe/CaF$_{2}$/Si(111) в высокоплотной аргоновой плазме высокочастотного индукционного разряда низкого давления, при которых на поверхности пленок селенида свинца формируются субмикронные полые структуры свинца. Обработка проводилась при низкой энергии ионов Ar$^{+}$ (20–30 eV), близкой к пороговой энергии распыления, при временах обработки 60–240 s. С помощью методов электронной микроскопии и локального энергодисперсионного рентгеновского анализа описаны свойства получаемых объектов. Показано, что размеры структур, их форма и поверхностная плотность изменяются в широких пределах и определяются временем плазменной обработки и температурой поверхности. Рассматриваются физические процессы, приводящие к формированию ансамбля полых частиц свинца в процессе плазменного распыления.
Поступила в редакцию: 05.03.2018
Образец цитирования:
С. П. Зимин, И. И. Амиров, В. В. Наумов, К. Е. Гусева, “Формирование полых свинцовых структур на поверхности пленок PbSe при обработке в аргоновой плазме”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 32–38; Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 518–521
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5775 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i12/p32
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 7 |
|