Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 13, страницы 19–27
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.13.46323.17160 (Mi pjtf5759) 		 
Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра

И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. О. Петрушков, М. А. Путято

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (742 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.13.46323.17160
Аннотация: Продемонстрирован подход к экспресс-диагностике эпитаксиальных пленок с резким снижением плотности прорастающих дислокаций. Использован метод высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, в частности картирование обратного пространства. Проведен структурный анализ гетеросистем GaAs/Si(001) с низкотемпературными слоями GaAs. Зарегистрировано снижение плотности прорастающих дислокаций в пленке GaAs с образованием малоугловой границы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-60087 мол_а_дк
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 16-32-60087 мол_а_дк).
Поступила в редакцию: 18.12.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 7, Pages 562–565
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501807009X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. О. Петрушков, М. А. Путято, “Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 19–27; Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 562–565
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LosVasTru18}
\by И.~Д.~Лошкарев, А.~П.~Василенко, Е.~М.~Труханов, А.~В.~Колесников, М.~О.~Петрушков, М.~А.~Путято
\paper Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 13
\pages 19--27
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5759}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.13.46323.17160}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35270653}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 7
\pages 562--565
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501807009X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5759
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i13/p19
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024