Экспериментальное моделирование алмазной бета-вольтаической батареи

Изготовлены алмазные монокристаллические $mip$-структуры (metal–intrinsic diamond–$p$-doped diamond) с барьером Шоттки на основе HTHP $p$-алмаза и CVD $i$-алмаза размером 3 $\times$ 3 и 4.1 $\times$ 4.28 mm. С помощью широкоапертурного электронного пучка с начальной энергией 110 keV, частично рассеянного на пути к преобразователю слоями алюминия толщиной 14 $\mu$m и воздуха 17 mm, исследованы бета-вольтаические характеристики алмазных структур. Максимальная генерируемая мощность достигала 2.18 mW (41 mW/cm$^{2}$) с КПД преобразования 2–3%.