|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Формирование тонкого люминесцирующего слоя в кристаллах LiF под действием излучения тлеющего разряда
А. А. Тютринa, Д. С. Глазуновa, А. Л. Ракевичa, Е. Ф. Мартыновичab a Иркутский филиал института лазерной физики СО РАН
b Иркутский государственный университет
Аннотация:
Средствами конфокальной сканирующей люминесцентной микроскопии с временным разрешением методом времякоррелированного счета одиночных фотонов исследовано образование тонких слоев люминесцирующих дефектов на гранях плоских образцов кристаллов фторида лития, размещенных в положительном столбе и темном фарадеевом пространстве тлеющего газового разряда. По характеристикам спектров и кинетики люминесценции, возникшей после облучения, установлено, что в поверхностных слоях кристаллов образуются агрегатные центры окраски. Рассмотрена роль электронов, ионов и фотонов газового разряда в механизме дефектообразования. Показано, что дефекты образуются под действием фотонов вакуумного ультрафиолета. Методом термостимулированной люминесценции измерено распределение интенсивности вакуумного ультрафиолетового излучения в разрядном промежутке. Основным источником этого излучения являются области анодного и катодного падения напряжения в тлеющем разряде.
Поступила в редакцию: 06.12.2017
Образец цитирования:
А. А. Тютрин, Д. С. Глазунов, А. Л. Ракевич, Е. Ф. Мартынович, “Формирование тонкого люминесцирующего слоя в кристаллах LiF под действием излучения тлеющего разряда”, Письма в ЖТФ, 44:15 (2018), 12–19; Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 659–662
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5730 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i15/p12
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 6 |
|