Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 16, страницы 67–74
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.16.46478.17282 (Mi pjtf5723) 		 
Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)

В. Я. Алёшкинab, Н. В. Байдусьb, О. В. Вихроваb, А. А. Дубиновab, Б. Н. Звонковb, З. Ф. Красильникab, К. Е. Кудрявцевab, С. М. Некоркинb, А. В. Новиковab, А. В. Рыковb, И. В. Самарцевb, Д. В. Юрасовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (126 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.16.46478.17282
Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получена лазерная структура c метаморфным слоем InGaAsP и квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной подложке Si(001) с релаксированным Ge-буфером, излучающая при оптической накачке на длине волны 1.3 $\mu$m. Пороговая плотность мощности при температуре жидкого азота при накачке излучением с длиной волны 0.8 $\mu$m составила 250 kW/cm$^{2}$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-00644
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект № 14-12-00644).
Поступила в редакцию: 07.03.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 8, Pages 735–738
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018080175
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алёшкин, Н. В. Байдусь, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, Д. В. Юрасов, “Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018), 67–74; Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleBaiVik18}
\by В.~Я.~Алёшкин, Н.~В.~Байдусь, О.~В.~Вихрова, А.~А.~Дубинов, Б.~Н.~Звонков, З.~Ф.~Красильник, К.~Е.~Кудрявцев, С.~М.~Некоркин, А.~В.~Новиков, А.~В.~Рыков, И.~В.~Самарцев, Д.~В.~Юрасов
\paper Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 16
\pages 67--74
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5723}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.16.46478.17282}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35270708}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 8
\pages 735--738
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018080175}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5723
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i16/p67
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025